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深圳市南皇電子有限公司長期提供SIRA01DP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SIRA01DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIRA01DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Ta），60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.9 毫歐 @ 15A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：112nC @ 10V

Vgs（最大值）：+16V，-20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3490pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），62.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

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