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        圖片信息
        

        SISA12DN-T1-GE3圖片
        

        

        

        

        基本技術信息：
        

      1. 電子器件型號：SISA12DN-T1-GE3
        2. 

      2. 原始制造廠商：Vishay，威世
        3. 

      3. 技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
        4. 

      4. 產品應用分類：單端場效應管
        5. 

      5. 點擊此處下載SISA12DN-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
        6. 

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        7. 

        

        

        

        

        

        

        技術參數詳解：
        

      7. Vishay威世半導體原廠型號：SISA12DN-T1-GE3
      8. 制造商：Vishay Siliconix
      9. 描述：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
      10. 系列：TrenchFET
      11. FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
      12. FET 功能：邏輯電平門
      13. 漏源極電壓 (Vdss)：30V
      14. 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：25A（Tc）
      15. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 10A，10V
      16. 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
      17. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V
      18. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2070pF @ 15V
      19. 功率 - 最大值：28W
      20. 安裝類型：表面貼裝
      21. 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8
      22. 供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8
      23. SISA12DN-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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        除Vishay外，我司還在以下品牌具有優勢：CML Microcircuits | CSR | AVX | Anpec | Ampleon | 
        

        

        

        

        



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