2019年11月7日，在由全球最大的電子信息媒體集團ASPENCORE舉辦的全球CEO峰會上， 瑞能半導體(WeEn Semiconductors ) 1200V 碳化硅系列榮獲產品類“年度功率半導體”大獎，彰顯了其在功率半導體行業的創新領導力。

全球電子成就獎旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業和管理者，由 ASPENCORE 全球資深編輯組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網站用戶群共同評選出得獎者。歷時數月，于2019年11月7日在中國深圳舉辦“全球雙峰會”隆重揭曉各大獎項得主。

本屆全球電子成就獎各類獎項獲的提名的企業及產品均為行業標桿，瑞能能夠在全球用戶參與的評選中獲得產品類大獎，充分展現了瑞能在不斷變化的技術世界和競爭激勵的全球市場里的所表現的敏捷性和創造性，同時也體現了客戶和業界同仁對瑞能以及瑞能全球跨國團隊的高度認可。

瑞能專注于功率半導體領域, 傳承逾50年的核心技術，全球WeEn代理商銷售點遍布大中華區，歐洲，亞太及美洲，產品應用覆蓋智能家電，電動汽車，電腦通訊等行業，為客戶在各自細分行業提供可靠專業的技術支持。

瑞能碳化硅二極管產品由一支在該技術領域擁有10多年經驗的專家團隊設計。結合瑞能在封測和應用方面的專業知識，瑞能已開發并將繼續豐富碳化硅器件產品組合。

此次獲獎的瑞能1200V碳化硅系列與硅基二極管相比，具有較低的反向恢復電荷，較高的結工作溫度能力（Tj（max）= 175°C）以及在高頻下具有高度穩定和快速的開關性能。

不斷創新和發展碳化硅二極管產品，瑞能半導體旨在將好處帶給更多的應用領域。繼碳化硅650V系列之后，瑞能開發業界領先的1200V碳化硅二極管，為電源應用提供了高性能的解決方案。碳化硅二極管的產品組合滿足了瑞能各類客戶在以下各種應用中的需求：功率因數校正/開關模式電源（SMPS）/ UPS / PV逆變器/電動機驅動器。

使用碳化硅二極管可使功率轉換系統在更高的頻率下工作功率密度更高，并減小了磁性元件的重量和尺寸。與市場上的其他競爭對手相比，強大的抗浪涌沖擊能力和抗雪崩能力確保了瑞能碳化硅二極管的強健性和魯棒性。在相關的SIC MOSFET / Si IGBT模塊中替換硅基二極管可減少功耗。較高的熱性能降低了對冷卻系統的需求，同時由于反向恢復時間短，可降低電磁干擾的問題。

作為全球功率半導體行業的佼佼者，瑞能始終專注于研發行業領先、廣泛且深入的功率半導體產品組合，包括：碳化硅二極管，可控硅整流器和三端雙向可控硅、功率二極管、高壓晶體管等。瑞能致力于為消費/工業/汽車應用領域的客戶提供具有高耐用性和較低功率損耗的功率半導體產品，同時幫助客戶提高成本效益和生產效率，促進中國及全球智能制造行業的發展和創新。瑞能半導體將一如既往地為不同領域的客戶提供全球領先的功率半導體解決方案，助力客戶獲得項目成功。瑞能半導體將抓住功率半導體發展的契機，提供更高價值的產品和創新解決方案。